聯電苦熬一年多的28奈米製程有重大突破,承接先進網通及高階手機晶片的關鍵高介電常數金屬閘極(HKMG)製程,已獲全球第二大IC設計商博通(Broadcom)認證,第2季開始接單投片,營運出現大轉機。目前28奈米全球晶圓代工市場由台積電獨霸,聯電先前一度對28奈米進度保守,隨著相關製程接單報捷,意味聯電將可分食台積電28奈米製程商機,引爆晶圓雙雄沈寂多時的高階製程大戰。由於28奈米毛利較高,有助聯電本業大躍進。
聯電高層證實28奈米HKMG製程良率近期顯著提升,但不評論個別客戶認證及接單進度。市場預期,未來包括高通、聯發科等更多28奈米製程設計的手機晶片,也會陸續轉移部分訂單至聯電。
高通策略暨營運資深副總裁戴維森(Bill Davidson)日前與台灣媒體舉行視訊記者會時便透露,高通採取更多元的代工來源是既定政策,當時的談話便暗示一旦聯電28奈米HKMG良率提升之後,高通將考慮對聯電釋單。
設備商透露,聯電28奈米HKMG去年積極追趕台積電腳步,並採取以「T-Like」模式,爭取成為台積電客戶的第二供應來源,但進展不如預期,也使聯電去年28奈米製程營收占比還只是低個位數。
聯電近年因高階製程進度落後台積電,基本面表現平平,上季僅小賺7億餘元,逼近損益兩平;去年全年純益126億元、每股純益1.01元。今年初聯電執行長顏博文在法說會時,仍對28奈米HKMG製程進展持保守態度。
法人指出,聯電去年即已建置28奈米HKMG約1.5萬片月產能,隨著良率與接單傳出喜訊,短期內仍難撼動台積電在28奈米的領先優勢,但對聯電而言,意義重大,本業將迎接轉機。
尤其手機矽智財(IP)授權大廠安謀(ARM)主推28奈米製程架構平台,主攻中低階智慧型手機,獲得高通和聯發科、博通及邁威爾等手機晶片廠採用,預料第2季開始大量導入。聯電28奈米HKMG適時切入28奈米需求爆發的時間點,搭配主力製程40奈米和高壓特殊製程訂單持續強勁,第2季營收將展現強勁爆發力。
聯電上周四(27日)股價跌0.05元、收12.3元。
14奈米加速 縮短差距
【記者簡永祥/台北報導】聯電28奈米製程獲得關鍵性突破,公司同步啟動14奈米FinFET(鰭式場效電晶體)正式試產前的「風險試產線」建置作業,預計今年底進行風險性試產,明年下半年量產,希望能縮小與台積電的差距。
據了解,聯電14奈米以下製程採取加入IBM技術開發聯盟,與格羅方德及三星成為同一技術陣營。
聯電去年即派出工程團隊赴美國參與IBM技術聯盟,並在南科設立研發中心,準備將14奈米製程導入在聯電南科12A廠生產。
閱讀祕書/HKMG製程
高介電常數金屬閘極製程可以有效降低柵極電容,並能讓電晶體縮小,容納更多電晶體數,減少漏電並提升效能。
隨著智慧型手機追求更輕薄短小,手機應用處理器效能要求更強大、更省電,這項製程即成為承接手機晶片及可編輯邏元件主流技術,更被視為邁向鰭式場效電晶(FinFET)等3D架構的前期指標。 (簡永祥)
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